特許
J-GLOBAL ID:200903046943320476
タンタル酸リチウム単結晶の製造方法および光素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大場 充
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-266696
公開番号(公開出願番号):特開平5-105594
出願日: 1991年10月16日
公開日(公表日): 1993年04月27日
要約:
【要約】【目的】 耐光損傷特性に優れたタンタル酸リチウム単結晶を得ること。これにより短波長光を用いる光素子用基板にタンタル酸リチウム単結晶を用い、タンタル酸リチウム単結晶の持つ大きな非線形光学定数を生かしたSHG素子の安定性と高出力化の特性向上をすること。【構成】 300〜700°Cの温度範囲でオゾンアニールすることにより耐光損傷特性を向上させることを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶の製造方法、及び、係る製造方法によって始めて得ることができた単結晶と、それを用いたSHG素子である。
請求項(抜粋):
300〜700°Cの温度範囲でオゾンアニールすることにより耐光損傷特性を向上させることを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶の製造方法。
IPC (6件):
C30B 29/30
, C30B 15/00
, C30B 33/02
, G02F 1/35 505
, H01S 3/08
, H01S 3/18
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