塩素バイパスによるキルン排ガス処理方法及びその装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：斎藤侑 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-310501
公開番号（公開出願番号）：特開2002-172314
出願日： 1996年12月04日
公開日（公表日）： 2002年06月18日
要約：

【要約】【課題】熱損失が少なく、経済的にキルンの安定運転を確保できるようにすること及び微粉ダストの処理を簡単に行なえるようにすること。【解決手段】抽気ダクト2を介して、キルン排ガスGの一部をキルン1から抽気し、該抽気した該排ガスGを600度〜700度以下に瞬間的に冷却した後、該冷却された該排ガス中のダストWを分級器8により粗粉と微粉とに分級し、分離された粗粉をキルン1に戻し、微粉をセメント系に排出するもので、前記抽気ダクト2が、キルン排ガスの抽気量の0%を超え5%以下の割合で抽気し、前記分級器8の分級点が、5μm〜7μmである。

請求項（抜粋）：

キルン排ガスの一部をキルンから抽気する行程と、該抽気した該排ガスを塩素化合物の融点以下に冷却する行程と、該排ガス中のダストを分級器により粗粉と微粉とに分離する行程と、分離された粗粉をキルンに戻し、微粉を分級器の下流側に送出する行程と、を備えたキルン排ガス処理方法であって;前記キルン排ガスの抽気量の割合が、0%を超え5%以下であることを特徴とする塩素バイパスによるキルン排ガス処理方法。

IPC (2件)：

B01D 53/68 , B01D 53/34 ZAB

FI (2件)：

B01D 53/34 134 A , B01D 53/34 ZAB

Fターム (11件)：

4D002AA18 , 4D002AC05 , 4D002BA13 , 4D002BA14 , 4D002CA13 , 4D002EA02 , 4D002GA01 , 4D002GB03 , 4D002GB07 , 4D002HA06 , 4D002HA08

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-252350
特開平2-116649

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