特許
J-GLOBAL ID：200903046947164274
光電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-334130
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345125
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗損失及び低透過損失を有し、高い光電変換効率を達成でき、しかも液漏れせず、かつ優れた光電変換効率を長期にわたり維持することができる光電変換素子を提供する【解決手段】 少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、?@前記半導体層を導電性物質と半導体材料とから構成し、及び/又は、?A前記電極と前記半導体層との間に導電性微粒子からなる層を配設し、及び/又は、?B前記電解質層を、多孔質支持体と該多孔質支持体内に充満された電解液とから構成する。
請求項（抜粋）：
少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記半導体層が導電性物質と、半導体材料とから構成されていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
5F051AA14
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032AS17
, 5H032BB02
, 5H032BB05
, 5H032BB10
, 5H032CC06
, 5H032CC14
, 5H032CC17
, 5H032EE02
, 5H032EE04
, 5H032EE07
, 5H032EE08
, 5H032EE16
, 5H032EE18
, 5H032HH01
, 5H032HH04
, 5H032HH07
, 5H032HH08
