特許
J-GLOBAL ID：200903046949319720
反強誘電性液晶表示素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-226903
公開番号（公開出願番号）：特開平7-084271
出願日： 1993年09月13日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】ON状態とOFF状態との表示の明るさの比が大きい、高コントラストの表示を得ることができる反強誘電性液晶表示素子を提供する。【構成】上基板1の画素電極3と下基板2の対向電極を、その表面を任意の方向に走査したときの少なくとも500nmの走査距離における走査軌跡上の最も高い凸部と最も低い凹部との高低差が20nm以下の表面粗さをもつ電極とし、両基板1,2の配向膜6,7により水平配向されるとともに、これら配向膜6,7のうちの下基板2側の配向膜(配列規制膜)7によって配列状態を規制される液晶分子を、乱れのほとんどない良好な配列状態で配列させた。
請求項（抜粋）：
一面に透明電極を形成しその上に水平配向膜を設けた一対の透明基板をその電極形成面を互いに対向させて配置し、この両基板間に反強誘電性液晶を封入した反強誘電性液晶表示素子であって、少なくとも一方の基板の水平配向膜が、液晶分子の配列状態を規制する配列規制膜であり、かつ前記配列規制膜の下の透明電極が、その表面を任意の方向に走査したときの少なくとも500nmの走査距離における走査軌跡上の最も高い凸部と最も低い凹部との高低差が20nm以下の表面粗さをもつ電極であることを特徴とする反強誘電性液晶表示素子。
IPC (2件)：
G02F 1/1343
, G02F 1/1337 500
