特許

J-GLOBAL ID：200903046950625533

3極管素子

発明者： 渕上 伸隆 ,  矢沢 正光
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-033157
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234522
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】半導体の針状結晶を用いて3極管素子を作製する場合のデバイス構造を提供する。【構成】エミッタ1を形成した半導体基板10とゲート電極2を形成した半導体基板10′とを貼り合わせて構成する。【効果】エミッタはゲート電極の形成方法に制約されないので、材料や形状を自由に選ぶことができ、最適な設計が行える。

請求項（抜粋）：

エミッタを有する第1の半導体基板とゲート電極を有する第2の半導体基板とで構成する3極管素子において、前記エミッタは前記第1の半導体基板上に設けた半導体、或いは金属の針状結晶からなり、前記ゲート電極は前記第2の半導体基板に設けた空洞の内部、或いは端部に配置した導電体からなることを特徴とする3極管素子。