半導体記憶装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-300102
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144880
出願日： 1996年11月12日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】HSG型のスタックト・キャパシタを有するDRAMの形成において、ストレージ・ノード電極の機械的強度を保持しつつ加工性に支障を生じさせず、ホールド不良を低減する。【解決手段】LTO膜とBPSG膜とに対して700°C程度での第1の熱処理による焼きしめにより酸化シリコン膜116,BPSG膜111に変換し、これら積層膜からなる第2の層間絶縁膜を形成し、BPSG膜111を覆うLTO膜122を形成し、例えば800°Cで90分の炉アニールからなる第2の熱処理によりLTO膜122を焼きしめて酸化シリコン膜123に変換する。

請求項（抜粋）：

P型シリコン基板の表面上にゲート酸化膜を介してワード線を兼たゲート電極を形成し、該ゲート電極の側面を覆う絶縁膜スペーサを形成し、高温化学気相成長法による第1の酸化シリコン膜を全面に形成し、該P型シリコン基板の表面にN型不純物のイオン注入等によりN型ソース・ドレイン領域を形成し、第1の層間絶縁膜を全面に形成し、該第1の層間絶縁膜および該第1の酸化シリコン膜を貫通して該N型ソース・ドレイン領域の一方に達するビット・コンタクト孔を形成し、ビット線を形成する工程と、低温化学気相成長法による第2の酸化シリコン膜を全面に形成し、BPSG膜を全面に形成し、第1の熱処理により該第2の酸化シリコン膜およびBPSG膜を焼きしめてこれらの積層膜からなる第2の層間絶縁膜を形成する工程と、低温化学気相成長法による第3の酸化シリコン膜を全面に形成し、第2の熱処理により該第3の酸化シリコン膜を焼きしめる工程と、焼きしめられた前記第3の酸化シリコン膜,前記第2の層間絶縁膜,前記第1の層間絶縁膜および前記第1の酸化シリコン膜を貫通して前記N型ソース・ドレイン領域の他方に達するノード・コンタクト孔を形成する工程と、成膜段階でN型にドープされた非晶質シリコン膜を全面に形成し、該非晶質シリコン膜をパターニングして非晶質シリコン膜パターンを形成し、希弗酸により該非晶質シリコン膜パターンの表面の自然酸化膜を除去する工程と、第3の熱処理により前記非晶質シリコン膜パターンを表面が半球形状グレイン(HSG)からなるN型多結晶シリコン膜パターンに変換してストレージ・ノード電極を形成し、容量絶縁膜を形成し、セル・プレート電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/3205 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 27/10 621 Z , H01L 21/88 B , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 C

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