特許

J-GLOBAL ID：200903046951728549

化学増幅型ポジ型レジスト塗布液及びそれを用いたレジストパターン形成方法

発明者： 公文 哲史 ,  佐藤 和史
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-338906
公開番号（公開出願番号）：特開2002-148784
出願日： 2000年11月07日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、解像性及び焦点深度幅の改善された化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、(A)放射線の照射により酸を発生する化合物からなる酸発生剤、(B)酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂成分、(C)有機溶媒、及び100重量部の(B)成分に対し0.1〜5重量部の範囲の(D)オクタノンを含有する化学増幅型ポジ型レジスト塗布液及びそれを用いたレジストパターン形成方法である。

請求項（抜粋）：

(A)放射線の照射により酸を発生する化合物からなる酸発生剤、(B)酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂成分、(C)有機溶媒、及び100重量部の(B)成分に対し0.1〜5重量部の範囲の(D)オクタノンを含有する化学増幅型ポジ型レジスト塗布液。

IPC (11件)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/07 ,  C08K 5/09 ,  C08K 5/17 ,  C08K 5/42 ,  C08L 25/18 ,  C08L101/00 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (11件)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/07 ,  C08K 5/09 ,  C08K 5/17 ,  C08K 5/42 ,  C08L 25/18 ,  C08L101/00 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (30件)：

2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ04 ,  2H025BJ05 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J002BC121 ,  4J002EB006 ,  4J002EC047 ,  4J002ED037 ,  4J002EE037 ,  4J002EE038 ,  4J002EF069 ,  4J002EH037 ,  4J002EN029 ,  4J002EV236 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03