特許

J-GLOBAL ID：200903046953563156

単結晶引上装置

発明者： 飯野 栄一 ,  布施川 泉 ,  高野 清隆 ,  山岸 浩利
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-217108
公開番号（公開出願番号）：特開平7-069779
出願日： 1993年09月01日
公開日（公表日）： 1995年03月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高品位な単結晶をより生産性良く得ることができるとともに、高い製品歩留りを確保することができる単結晶引上装置を提供する。【構成】 チャンバー2内に設置された石英ルツボ3の内部を筒状の隔壁8で内側部分(単結晶育成部)と外側部分(原料供給部)に区画し、該石英ルツボ3の外側部分の単結晶原料の融液12に更にその粒状原料を連続的に供給しながら単結晶16を育成させる装置であって、育成中の単結晶16を同心的に囲繞する筒体9をチャンバー2の上部から下方へ延設するとともに、該筒体9の下端部に、下方に向かって縮径する截頭円錐状の断熱リング10を取り付けて成る単結晶引上装置において、前記断熱リング10の外殻をカーボン材で構成し、該外殻の内部に断熱材を充填する。

請求項（抜粋）：

チャンバー内に設置されたルツボの内部を筒状の隔壁で内側部分と外側部分に区画し、該ルツボの外側部分の単結晶原料の融液に更にその粒状原料を連続的に供給しながら単結晶を育成させる装置であって、育成中の単結晶を同心的に囲繞する筒体をチャンバー上部から下方へ延設するとともに、該筒体の下端部に、下方に向かって縮径する截頭円錐状の断熱リングを取り付けて構成される単結晶引上装置において、前記断熱リングの外殻をカーボン材で構成し、該外殻の内部に断熱材を充填したことを特徴とする単結晶引上装置。

IPC (2件)：

C30B 15/14 ,  C30B 15/02