特許
J-GLOBAL ID：200903046954627700
被膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鴨田 朝雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-317326
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251356
出願日： 1985年11月18日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】接合特性のすぐれた絶縁膜と半導体膜の積層を得る。【構成】絶縁膜と半導体膜を各々CVD法で作製する反応室を、被膜表面が大気に触れないように連接させて、これにより積層を行う。
請求項（抜粋）：
第1反応室で基板上に絶縁層と半導体層の一方をCVD法で形成し、第1反応室で絶縁層または半導体層を形成した基板を第2反応室へ移し、第2反応室を第1反応室から遮断し、第2反応室で絶縁層と半導体層の他方をCVD法で形成することにより、絶縁層と半導体層を積層する被膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/24
, C23C 16/50
