高密度樹脂封止型半導体装置及び実装構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227854
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067723
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】実装面積を拡大せずに電極数の増加に対応する高密度実装に適した樹脂封止型半導体装置、及び実装構造を提供することにある。【構成】半導体素子1の電極形成側で、電極部8〜10以外の部位に互いに絶縁されたリード層を形成する。この時、インナーリード先端では上層へいくに従ってリードが短くなるような階段上に多層リード2〜7を形成する。各層のインナーリード2〜4上にある電極との接続部位と、半導体素子の電極8〜10とをそれぞれワイヤ11〜13で電気的に接続する。また、パッケージ外へ延長されたアウターリード先端では、上層へいくにつれてリードが長くなるような階段状に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、リードの集合体から成るリードフレームと前記半導体素子と前記リードフレームを電気的に接続する手段をもち、前記リードフレームの一部と前記半導体素子と接続部を樹脂で封止することによりパッケージを形成した半導体装置において、電気信号の入出力を行うリードが絶縁層を介した複数層の導電層からなる多層構造を形成し、多層リードの導電層は塑性変形によって、基板と接続することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

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