特許
J-GLOBAL ID：200903046961784684
半導体装置の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-118739
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177215
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 半導体チップの電極とリードをギャングボンディングする際の、バンプとリードの合計高さ(Hc)がチップ内でばらつき、つぶれすぎる部分が発生し、隣接バンプの接触やバンプ下地破壊を発生しにくいボンディング装置を得ることを目的とする。【構成】 ステージ温度とツールとの温度差を小さくすることまた、ステージ形状を30mmφ以上、10mmt以上とすること。また、FαρC/λの小さな材質、たとえば、窒化ケイ素を用いること、これらを行なうことで、Hcがチップ内でばらつく量が少なくなる。
請求項（抜粋）：
固定具によって固定されたボンディングステージと、このボンディングステージ上部に設けられたボンディングツールと、上記ボンディングステージ上に半導体チップを載置し上記ボンディングツールで加熱圧着することにより上記半導体チップの突起電極と実装テープのリードとをボンディングする半導体装置の製造装置において、上記ボンディングステージの温度と上記ボンディングツールの温度差を少なくしたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
引用特許：
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