特許

J-GLOBAL ID：200903046963265536

電界放出型エミッタの製造方法

発明者： 大星 敏夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-069481
公開番号（公開出願番号）：特開平10-269933
出願日： 1997年03月24日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 簡便な方法によって、大面積の基板上のカソード電極上にカソードを必要最小限の金属の量で均質に形成することができ、電界放出型エミッタの製造コストの低減を図ることができる電界放出型エミッタの製造方法を提供する。【解決手段】 Niなどの金属の塩を含む電解液7で満たされた電解槽8中において、陽極10とカソード電極3やゲート電極5などが形成されたリアガラスパネル1とを対向させ、陽極10と陰極を構成するカソード電極3とをそれぞれ所定の電位に設定し、それらの間に所定の電流を流すことにより、絶縁膜4の空洞4aの内部のカソード電極3上にNiなどの金属を析出させることによりカソード12を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられたカソード電極と、上記カソード電極上に設けられた絶縁膜と、上記絶縁膜に設けられた空洞と、上記空洞の内部の上記カソード電極上に設けられたカソードと、上記絶縁膜上に設けられたゲート電極とを有する電界放出型エミッタの製造方法において、上記カソードを、金属の塩を含む電解液中において電気化学的に形成するようにしたことを特徴とする電界放出型エミッタの製造方法。