特許
J-GLOBAL ID:200903046964487150
導波路型受光素子とその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長門 侃二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-068946
公開番号(公開出願番号):特開2000-269538
出願日: 1999年03月15日
公開日(公表日): 2000年09月29日
要約:
【要約】【課題】 受光素子領域の前段にモノリシックに集積される光減衰領域との結合効率を十分に高めて最小受光感度を大きくした導波路型受光素子を提供する。【解決手段】 基板11上に多層導波路構造をなす電気的素子分離層12を成長させた後、該電気的素子分離層を部分的にエッチング除去して基板を露出させ、該基板上に前記電気的素子分離層と光学的に結合する導波路型の受光素子領域PDと導波路型の光減衰領域ATTとを前記電気的素子分離層を挟んでそれぞれ成長させる。
請求項(抜粋):
導波路型の受光素子領域の前段に光減衰領域をモノリシックに集積してなり、上記受光素子領域と前記光減衰領域との間に、多層導波路構造をなして該受光素子領域と光減衰領域とを光学的に結合する電気的素子分離領域を設けたことを特徴とする導波路型受光素子。
IPC (2件):
H01L 31/10
, H01L 31/0232
FI (2件):
H01L 31/10 A
, H01L 31/02 D
Fターム (20件):
5F049MB07
, 5F049NA01
, 5F049NB01
, 5F049PA04
, 5F049PA14
, 5F049QA03
, 5F049QA08
, 5F049QA11
, 5F049RA06
, 5F049SS04
, 5F049SZ20
, 5F088AA03
, 5F088AB07
, 5F088BA01
, 5F088BB01
, 5F088CB04
, 5F088DA01
, 5F088DA17
, 5F088GA05
, 5F088JA11
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