特許

J-GLOBAL ID：200903046966788408

半導体装置の製造方法

発明者： 岡崎 真吾 ,  井上 雄史
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147554
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340544
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 層間絶縁膜平坦化のためのCMP処理後において、ウェーハエッジ部のSi基板が露出する。この露出部上に水分が残留し、アミン酸系レジスト剥離液による剥離工程において反応生成物が生じてパーティクルの原因となっていた。【解決手段】 上記の課題を解決する為に、層間絶縁膜平坦化工程のCMP処理により露出したSi表面上に保護膜として酸化膜等の疎水性を有する膜を堆積することにより、それ以降の工程でアミン酸系有機剥離液と露出Si表面にある残留水分による反応生成物の発生を抑制する。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜の平坦化工程において化学的機械研磨処理を行うことにより露出したシリコン基板に疎水性の保護膜を形成した後に、フォトレジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行いアミン酸系処理にて前記フォトレジスト膜を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/306 D

Fターム (11件)：

5F004BD01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EA11 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F004FA08 ,  5F043BB30 ,  5F043CC16 ,  5F046MA02 ,  5F046MA18