特許
J-GLOBAL ID：200903046968078700
光CVD装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-258104
公開番号（公開出願番号）：特開平5-098447
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月20日
要約：
【要約】【目的】 比較的簡単な手段で光源自身の温度上昇を防止し、安定した光強度とそれによる安定した成膜速度を得ること。【構成】 処理すべき基板22を収容する反応室21内に、基板22の表面にほぼ平行に反応ガスが流れるように反応ガス導入口23と排出口24を設け、該反応室21と光源室29との間に、不活性ガスを通すための多数の小孔28を有する光透過性の第1のガス噴出板27を配置し、光源室29を、紫外光又は真空紫外光に対し反射率が高く、しかも多数の小孔を有する第2のガス噴出板31で仕切り、第1と第2の両ガス噴出板27と31の間に光源ランプ30を配置している。第2のガス噴出板31より導入された不活性ガスにより光源30が冷却されるので、短時間で一定の照度に到達し、しかも大きな照度が得られ、効率のよい安定したサイクルタイムが得られる。
請求項（抜粋）：
基板を収容する反応室と、該反応室内に反応ガスを導入及び排気するそれぞれの手段と、該反応ガスを光化学反応させ、該基板上に薄膜を形成させるための光源と、該光源を収容する光源室と、該反応室と該光源室の間に、多数の小孔を有する光透過性の第1のガス噴出板を配置し、該反応室内に収容された基板の表面にほぼ平行にガス導入口より第1のガス流をシート状に導入し、また該基板上の表面に、この表面に垂直な方向から第2のガス流を、該第1のガス噴出板より導入して、該基板の表面の近傍に上記第1のガス流を層流状態に保持するようにした光CVD装置において、上記光源室を、紫外光または真空紫外光に対し反射率が高く、しかも多数の小孔を有する第2のガス噴出板で仕切り、該第2のガス噴出板と上記第1のガス噴出板との間に上記光源を配置し、第2のガス流を第2のガス噴出板より導入して該光源を第2のガス流によって冷却するようにしたことを特徴とする光CVD装置。
IPC (3件)：
C23C 16/48
, H01L 21/205
, H01L 21/31
