特許

J-GLOBAL ID：200903046976512621

半導体装置の保護回路及び半導体装置

発明者： 榎原 淳
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-090231
公開番号（公開出願番号）：特開2003-289104
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置において、製造工程を増加させることなく、保護回路が占める面積を縮小する。【解決手段】 電極パッド7の形成領域において、P型半導体基板3の表面にフィールド酸化膜21によって互いに分離されてN+拡散領域19a,19b,19cが形成されている。フィールド酸化膜21上及び絶縁膜23上に下層メタル配線層25a,25b,25cが形成されている。さらにその上に層間絶縁層27を介してVccライン13a、GNDライン13b及びメタル配線層13cが形成されている。Vccライン13a及びGNDライン13bは複数の電極パッド7の形成領域にまたがって連続して形成されている。さらにその上に層間絶縁膜29を介して電極パッド7が形成されている。Vccライン13aとN+拡散領域19a、GNDライン13bとN+拡散領域19b、及び電極パッド7とN+拡散領域19cはそれぞれ電気的に接続されている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板又は共通のウエル領域に、第2導電型の第1拡散領域と、前記第1拡散領域とは間隔をもって形成された第2導電型の第2拡散領域を備え、前記第1拡散領域は半導体装置を外部に電気的に接続するための電極パッドに電気的に接続され、前記第2拡散領域は電源電位に電気的に接続されており、前記第1拡散領域及び前記第2拡散領域の少なくとも一部は、前記電極パッド形成領域内に形成されていることを特徴とする半導体装置の保護回路。

IPC (8件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 311 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/092

FI (7件)：

H01L 27/06 311 A ,  H01L 27/06 311 C ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 E ,  H01L 27/08 321 H ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/90 C

Fターム (44件)：

5F033HH04 ,  5F033KK01 ,  5F033MM07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033UU04 ,  5F033VV04 ,  5F033VV05 ,  5F033VV06 ,  5F033VV07 ,  5F033WW00 ,  5F033XX19 ,  5F033XX34 ,  5F038AR01 ,  5F038BE09 ,  5F038BH02 ,  5F038BH05 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038CA10 ,  5F038CD02 ,  5F038CD03 ,  5F038CD19 ,  5F038CD20 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA01 ,  5F048AA02 ,  5F048AB04 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BF03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF12 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048CC01 ,  5F048CC04 ,  5F048CC09 ,  5F048CC15 ,  5F048CC19

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体集積回路装置の保護回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-073582   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-053390   出願人：ヤマハ株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-100732   出願人：日本電気株式会社
• 静電気保護回路を備えた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-167398   出願人：現代電子産業株式会社
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-061601   出願人：日本電気株式会社