特許

J-GLOBAL ID：200903046977327119

多連式半導体製造装置の処理室排気制御システム

発明者： 富田 雅之
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 守山 辰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-149507
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321446
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】 システムを安価かつ小型化に構成し、処理室間の真空度の差異に起因したパーティクル等の巻き上げを防止する。【構成】 排気ポンプ4に連絡された複数の処理室1A、1B、1Cを直列的に連絡し、これらの処理室を減圧状態に保持して半導体製造の処理を順々に行う多連式半導体製造装置において、処理室1A、1B、1Cをそれぞれ配管3A、3B、3Cを介して単一の排気ポンプ4に並列的に連絡し、配管3A、3B、3Cにそれぞれ制御バルブ5A、5B、5Cを設け、コントローラ7にてこれら御バルブ5A、5B、5Cを開閉制御して、排気ポンプ4により処理室1A、1B、1Cを順次所定の真空度に吸引処理し、更に、所定の真空度に達した処理室1A、1B、1C同士を配管3A、3B、3Cを介して連通させ、処理室1A、1B、1Cの真空度を同一化させる。

請求項（抜粋）：

真空源に連絡された複数の処理室を直列的に連絡し、これらの処理室を減圧状態に保持して半導体の製造処理を順々に行う多連式半導体製造装置において、前記複数の処理室をそれぞれ配管を介して単一の真空源に並列的に連絡するとともに該配管にそれぞれ制御バルブを設け、コントローラにてこれら制御バルブを開閉制御して、前記真空源により前記処理室を順次所定の真空度に吸引処理し、更に、所定の真空度に達した処理室同士を前記配管を介して連通させることを特徴とする多連式半導体製造装置の処理室排気制御システム。