特許

J-GLOBAL ID：200903046978787091

単一電子トランジスタ

発明者： 中田 俊司 ,  水谷 孝
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-345922
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196720
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 量子ドットの上に形成した絶縁膜上にゲート電極を設けることにより、従来より極めて容易に0.1μm程度の量子ドットの作製を可能であり、高速スイッチング動作が可能で、かつ、低消費電力動作が可能な単一電子トランジスタを提供すること。【構成】 2次元電子構造を有する半導体の上に第lのゲート電極を設け、このゲート電極に電圧を印加することにより生じる空乏層により、同心円状あるいは矩形状に電子の閉じ込め領域を形成し、この閉じ込め領域に囲まれた内部に電子を蓄積する半導体量子ドットの上に絶縁膜を形成し、その絶縁膜上に第2のゲート電極を形成することにより、単一電子の移動を制御することを特徴とする。また、絶縁膜を形成した後、上記量子ドット上の所望の領域を除去しその後、第2のゲート電極を形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

2次元電子構造を有する半導体の上に第lのゲート電極を設け、このゲート電極に電圧を印加することにより生じる空乏層により、同心円状あるいは矩形状に電子の閉じ込め領域を形成し、この閉じ込め領域に囲まれた内部に電子を蓄積する半導体量子ドットの上に絶縁膜を形成し、その絶縁膜上に第2のゲート電極を形成することにより、単一電子の移動を制御することを特徴とする単一電子トランジスタ。