特許

J-GLOBAL ID：200903046979654257

光半導体装置

発明者： 田淵 晴彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332851
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181366
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【目的】 レーザ光の変調器を構成する光半導体装置に関し、光変調層で発生する光信号の波長チャーピングを低減し得る新規な構造の変調器を有する光半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 pn接合の空乏層が形成される領域あるいはpin接合のi層の部分で光導波路を構成し、前記接合に逆バイアス電圧を印加する手段を有し、所定波長λopの入射光に対する変調機能を有する光半導体装置であって、光導波路が、逆バイアス印加時に所定波長λopに対する電気光学効果による屈折率変化の係数α(=Δn/Δg、ただしΔnは逆バイアス電圧印加による屈折率の変化、Δgは逆バイアス電圧印加による利得の変化)が正となる半導体材料の層(i+)と前記係数αが負となる半導体材料の層(i-)との積層を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

pn接合の空乏層が形成される領域あるいはpin接合のi層の部分で光導波路を構成し、前記接合に逆バイアス電圧を印加する手段を有し、所定波長λopの入射光に対する変調機能を有する光半導体装置であって、光導波路が、逆バイアス印加時に所定波長λopに対する電気光学効果による屈折率変化の係数α(=Δn/Δg、ただしΔnは逆バイアス電圧印加による屈折率の変化、Δgは逆バイアス電圧印加による利得の変化)が正となる半導体材料の層(i+)と前記係数αが負となる半導体材料の層(i-)との積層を含むことを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/015