特許

J-GLOBAL ID：200903046980635770

低サプライ電圧用容量性チャージポンプBiCMOS回路

発明者： ドメニコ・ロッシ ,  田原 久嗣
出願人/特許権者： エッセヂエッセ-トムソン マイクロエレクトロニクスエッセ・エッレ・エッレ
代理人 (1件)： 森 浩之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-158391
公開番号（公開出願番号）：特開平7-336998
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 従来のチャージポンプ回路は消耗に近づいている等のバッテリーの不安定なチャージ条件下ではサプライ電圧の2倍の出力電圧を得られなかった。本発明はこの不安定な条件下でも、特に低いサプライ電圧でもその正確な動作を確保でき、サプライ電圧を実質的に2倍にすることのできる回路を提供する。【構成】 その飽和電圧がチャージトランスファーキャパシター(C1)により零にされるバイポーラートランジスター(T2及びT3)の一方(T3)と並列接続した第1の電界効果トランジスター(M1)、出力キャパシター(C2)のチャージダイオード(T7)と並列に接続されかつその電圧降下を実質的に零にできる第2の電界効果トランジスター(M2)、及び出力ノード(VOUT )の電圧を上昇させかつサプライ電圧(VS )を実質的に2倍にすることを可能にすることに対応する手段(T8、R2、I2)を含む回路。

請求項（抜粋）：

サプライノード(VS )及び貯蔵出力キャパシター(C2)が接続された出力ノード(VOUT )間に直列接続された1対のダイオードの中間ノードに接続されたチャージトランスファーキャパシター(C1)、及び該チャージトランスファーキャパシターと逆相でスイッチとして駆動される1対のバイポーラートランジスター(T2及びT3)を含んで成る低サプライ電圧用容量性チャージポンプ回路において、前記バイポーラートランジスター(T3)の飽和電圧を実質的に零にできる前記チャージトランスファーキャパシタンス(C1)のチャージ相の間に通電する前記トランジスター対のバイポーラートランジスターT3と並列に接続されかつ同じ相で駆動される第1の電界効果トランジスター(M1)、前記貯蔵出力キャパシター(C2)のチャージダイオード(T7)と並列に接続され、かつ前記ダイオード(T7)の電圧降下を実質的に零にできる、前記チャージトランスファーキャパシター(C1)から、前記貯蔵キャパシター(C2)へのチャージトランスファーと同じ相で駆動される第2の電界効果トランジスター(M2)及び前記電界効果トランジスター(M1、M2)を駆動できる最小ブーストレベルを越えて前記出力ノード(VOUT )の電圧を上昇させかつサプライ電圧(VS )を実質的に2倍にすることを可能にすることに対応する手段(T8、R2、I2)を含んで成ることを特徴とする回路。

IPC (5件)：

H02M 3/07 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/92

FI (2件)：

H01L 27/04 G ,  H01L 29/78 301 C