特許

J-GLOBAL ID：200903046981786373

レーザ装置

発明者： 峯本 尚 ,  尾崎 祐介 ,  園田 信雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-103832
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099360
出願日： 1994年05月18日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】 内部共振器型波長変換素子を含むレーザ装置に関し、固体レーザ媒質として、GaAs結晶、AlGaAs結晶、またはそれらの超格子結晶を用いることにより、容易に0.8μm帯を基本波とするSH光を得る。【構成】 レーザ装置は、励起用半導体レーザ20、レーザ20により励起される固体レーザ媒質である発光部22、励起された固体レーザからのレーザ光の波長を変換する波長変換素子23を主な構成要素としている。発光部22の固体レーザ媒質には、GaAs、AlGaAs、GaAs-AlGaAs系の半導体結晶が用いられていることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体レーザと、前記半導体レーザにより励起される固体レーザ媒質と、前記固体レーザ媒質から出射するレーザ光の波長を変換する波長変換素子と、前記固体レーザから出射するレーザ光を増幅するための光共振器とを備え、前記半導体レーザからの励起光は、前記固体レーザ媒質の片方の主面に照射され、前記光共振器は、前記主面と、反対側に配置された出力ミラーとの間で構成されており、前記光共振器の間に前記波長変換素子が配置されており、前記固体レーザ媒質としてIII-V族半導体結晶またはII-VI族半導体結晶を用いることを特徴とするレーザ装置。

IPC (4件)：

H01S 3/109 ,  G02F 1/37 ,  H01S 3/094 ,  H01S 3/18

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭56-093386
  
• 特開平4-148578
  
• 特開平4-335586