特許
J-GLOBAL ID:200903046985647360

断熱被膜形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 生沼 徳二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-325561
公開番号(公開出願番号):特開平6-235074
出願日: 1993年12月24日
公開日(公表日): 1994年08月23日
要約:
【要約】【目的】 金属基体上に断熱被膜を形成するための方法を提供する。【構成】 (a) 金属基体10上に冶金的結合層12を設置し、(b) 結合層上に第1のジルコニア層14を設置し、次いで(c) 第1のジルコニア層上に第2のジルコニア層16を設置する工程を含む。工程(b) および(c) を実施する際に基体の温度を制御することによって第1のジルコニア層に実質的にゼロの有孔率を付与しかつ第2のジルコニア層に約10〜20%の有孔率を付与する。
請求項(抜粋):
(a) 金属基体上に冶金的結合層を設置し、(b) 緻密な柱状のミクロ組織を示す第1のジルコニア層を前記結合層上に設置し、次いで(c) 10〜20%の有孔率を有するミクロ組織を示す第2のジルコニア層を前記第1のジルコニア層上に設置する工程を含むことを特徴とする、金属基体上に断熱被膜を形成する方法。
IPC (2件):
C23C 28/00 ,  C23C 4/10

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