特許
J-GLOBAL ID：200903046986767130
気相成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075009
公開番号（公開出願番号）：特開平5-279856
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月26日
要約：
【要約】【目的】層間絶縁膜の膜内応力を低減し、膜中の水分を減少させることにより、膜の機械的強度を向上させることにより、層間絶縁膜に発生するクラックを抑制する。【構成】オゾン発生器3により発生したオゾンと、10〜50°Cに保持したテトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)5中にN2 ガスをバブリングすることにより発生したTMCTS蒸気とを、ヒーター8とディスパージョンヘッド6とからなるリアクターに導いて、シリコンウェハー7上にSiO2 膜を形成する。
請求項（抜粋）：
有機シランを主体とする原料ガスとオゾンを含む酸化ガスとによる酸化反応により、半導体基板表面に酸化シリコン系と絶縁膜を形成させる気相成長方法において、該原料ガス中に、シクロテトラシロキサン誘導体((OSi-Ri1Ri2)4 :Ri1,Ri2(i=1,2,3,4)は任意の基)を含むことを特徴とする気相成長方法。
IPC (4件)：
C23C 16/40
, C30B 29/18
, H01L 21/205
, H01L 21/316
