特許
J-GLOBAL ID：200903046987827268
半導体集積回路
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-080863
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295584
出願日： 1993年04月07日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【構成】 リング発振回路103のバイアス電圧制御回路における高・低電位各側の電圧出力回路106,107間にVccや温度の特定条件に応じて変化する可変抵抗付バイアス電圧調整回路を備え、その可変抵抗とバイアス電圧出力回路106,107とでVcc分圧器を形成し、その可変抵抗によって発振回路103へのバイアス電圧を各特定条件に応じて適切に調整する。よって、発振回路103をPSRAMのオートセルフリフレッシュに使用すれば、Vcc上昇に伴う単位時間当りのリフレッシュ動作回数の増大を抑止する。また、温度依存性可変抵抗により温度上昇に対し抵抗値が所定の特性で低下することで、必要限度のポーズで回路動作を保証すべく発振周波数を設定できる。【効果】 発振周波数の電源依存性が小さく、温度特性を持つリングオシレータを提供することができ、消費電流の低減にも寄与することができる。
請求項（抜粋）：
奇数段のCMOSインバータ回路からなるリング発振回路と、前記CMOSインバータ回路の高電位側トランジスタをバイアスする高電位側バイアス回路と、前記CMOSインバータ回路の低電位側トランジスタをバイアスする低電位側バイアス回路と、前記高電位側バイアス回路へバイアス電圧を出力する高電位側バイアス電圧出力回路と、前記低電位側バイアス回路へバイアス電圧を出力する低電位側バイアス電圧出力回路と、特定の条件に応じて変化する可変抵抗回路を、前記高電位側バイアス電圧出力回路と前記低電位側バイアス電圧出力回路との中間に、これらと共に前記電源電圧の分圧器が形成されるように挿入し、その抵抗値の変化によって前記高電位側バイアス電圧出力回路と前記低電位側バイアス電圧出力回路との出力電圧を可変するバイアス電圧調整回路とを備えている半導体集積回路。
IPC (2件)：
G11C 11/407
, H01L 27/108
G11C 11/34 354 C
, H01L 27/10 325 V
