特許

J-GLOBAL ID：200903046995517090

導波路構造半導体受光素子

発明者： 渡邊 功
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-264199
公開番号（公開出願番号）：特開平6-090016
出願日： 1992年09月07日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 高速・高信頼特性の導波路型半導体受光素子を実現する。【構成】 pin型半導体受光素子において、光入射端面部分に光吸収層より禁制帯幅の大きな半導体を有する。【効果】 従来構造では光入射端面では光吸収領域が露出していたが、本発明の構造により禁制帯幅の大きな半導体で端面光吸収層を保護することができ、強い強度の光吸収による表面欠陥の増加・素子信頼性低下を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

光入射端面部分に光吸収層より禁制帯幅の大きな半導体を有することを特徴とする導波路構造半導体受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  G02F 1/025

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-096917
  
• 特開平2-074918
  
• 特開昭63-038269