特許

J-GLOBAL ID：200903046997635570

磁気センサ

発明者： 近藤 玲子 ,  岩崎 仁志 ,  與田 博明 ,  大沢 裕一 ,  橋本 進
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-324415
公開番号（公開出願番号）：特開平7-182629
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 軟磁気特性や感度等に悪影響を及ぼす漏れ磁界を生じさせることなく、高保磁力膜による本来のバイアス磁界を良好に印加することを可能にした、磁気抵抗効果型センサのような磁気センサを提供する。【構成】 MR膜14のような信号磁界検出膜と、この信号磁界検出膜に近接または隣接して形成された、例えば磁化安定化膜のような高保磁力膜13とを具備する磁気センサにおいて、高保磁力膜13をアモルファス相を主構成相とする強磁性膜またはCo系非磁性膜からなる下地層12上に形成する。

請求項（抜粋）：

信号磁界検出膜と、前記信号磁界検出膜に近接または隣接して形成された高保磁力膜とを具備する磁気センサにおいて、前記高保磁力膜の下地層として、アモルファス相を主構成相とする強磁性膜またはCo系非磁性膜を有することを特徴とする磁気センサ。