特許

J-GLOBAL ID：200903046997704261

半導体装置の製造方法

発明者： 野中 裕司
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-147514
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017832
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 バンプの形成において信頼性の高い半導体装置の製造方法を得ること【構成】 半導体チップの電極部上の第1のフォトレジスト105の開口部106と第2のフォトレジスト107の開口部108からなるバンプ形成部の容積が半導体チップの電極部102に必要なハンダ量と同体積になるように制御・形成され、ハンダメッキによりハンダを析出し、第2のフォトレジスト107から突出されたハンダは研磨により削り落とし、第1のフォトレジスト105と第2のフォトレジスト107を除去し、熱処理によってウエットバックする方法。

請求項（抜粋）：

第1のメッキマスク材を電極部を含む半導体チップ上に所定の厚さで被着させる工程と、前記第1のメッキマスク材を開口することにより前記電極部の位置する部分を露出する第1の開口部を形成する工程と、第2のメッキマスク材を前記第1のメッキマスク材の上に所定の厚さで被着させる工程と、前記第2のメッキマスク材を前記第1の開口部上に前記第1の開口部より広く開口して第2の開口部を形成する工程と、前記第1の開口部及び前記第2の開口部からなるバンプ形成部に、メッキにより前記第2のメッキマスク材の表面より突出するまでバンプ金属を析出させる工程と、前記第2のメッキマスク材の表面より突出したバンプ金属を研磨により削り落とす工程と、前記第1のメッキマスク材及び前記第2のメッキマスク材を除去する工程と、前記バンプ金属を熱処理してウエットバックする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。