特許
J-GLOBAL ID：200903047014245717
電界効果型フオトトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-229676
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048142
出願日： 1991年08月16日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 従来のフォトダイオード等の受光素子に比較して光量に対する光電変換の電流のゲインを増大させて光感度を向上させた電界効果型フォトトランジスタを得る。【構成】 pin非晶質シリコン層8a,8b,8c(フォトダイオード)をゲート電極8とすることにより、前記pin非晶質シリコン層(フォトダイオード)のn型非晶質シリコン8c側から光が入射することによりキャリアを発生させ、正の開放端電圧を生じさせ、この開放端電圧がゲート電極8に印加されることによりソース電極2とドレイン電極3間に電流を流す構造の電界効果型フォトトランジスタとする。
請求項（抜粋）：
互に分離されるように配置されたソース電極及びドレイン電極と、少なくとも前記ソース電極及びドレイン電極の端部を覆うように形成されたチャネル層と、該チャネル層上に形成されたゲート絶縁膜と、チャネル領域に対応するゲート絶縁膜上に形成したゲート電極とを具備し、該ゲート電極は、ゲート絶縁膜側よりp型非晶質シリコン層,ノンドープの非晶質シリコン層,n型非晶質シリコン層を積層したpin非晶質シリコン層で形成されたことを特徴とする電界効果型フォトトランジスタ。
FI (2件)：
H01L 31/10 E
, H01L 31/10 A
