特許

J-GLOBAL ID：200903047014330935

ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  武田 隆信
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-000566
公開番号（公開出願番号）：特開2009-211051
出願日： 2009年01月06日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：

【課題】高感度および高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】ベース樹脂として、少なくともフェノール性水酸基の水素原子が下記一般式(1)で示される酸不安定基によって置換されている高分子化合物を含むものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。 【化85】【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ベース樹脂として、少なくともフェノール性水酸基の水素原子が下記一般式(1)で示される酸不安定基によって置換されている高分子化合物を含むものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  C08F 12/22 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 504 ,  C08F12/22 ,  H01L21/30 502R

Fターム (44件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF11 ,  2H025BF15 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100AB07S ,  4J100AL08S ,  4J100AR09R ,  4J100AR10R ,  4J100AR21R ,  4J100AR31R ,  4J100AR32R ,  4J100AR33R ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02S ,  4J100BA03P ,  4J100BA03R ,  4J100BA11R ,  4J100BA15R ,  4J100BA56S ,  4J100BB12S ,  4J100BB18S ,  4J100BC03R ,  4J100BC48Q ,  4J100BC48S ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38