特許

J-GLOBAL ID：200903047019885200

半導体装置およびその製造方法

発明者： 本多 広一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-307566
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127094
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】リペアラブルでかつ実装信頼性に優れたフリップチップ型半導体装置を提供する。特に、多層配線基板から半導体チップのリペアーが可能で、リペアー時に、半導体チップのAl配線を始めとする活性領域にダメージがないフリップチップ型半導体装置を提供する。【解決手段】 バンプ電極2を備えた半導体チップ10に、バンプ電極2上に設けられた導電性カラム5と、導電性カラム5上に設けられたボール電極7とを設け、バンプ電極2の間に所定の弾性率を有する絶縁性材料層4を形成した。

請求項（抜粋）：

バンプ電極を備えた半導体チップと、前記バンプ電極上に設けられた導電性カラムと、前記導電性カラム上に設けられたボール電極と、前記ボール電極が接続される外部電極パッドを有する配線基板とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H01L 23/12

FI (7件)：

H01L 21/92 602 D ,  H01L 21/92 602 K ,  H01L 21/92 602 B ,  H01L 21/92 603 G ,  H01L 21/92 604 A ,  H01L 21/92 604 S ,  H01L 23/12 L