特許
J-GLOBAL ID：200903047022671482
永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造 方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-162564
公開番号（公開出願番号）：特開平9-016914
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 磁気抵抗効果膜に安定した縦バイアスを印加でき、低発熱・低ノイズの耐食性に優れた高信頼性かつ低価格の永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドおよびその製造方法を提供する。【構成】 磁気抵抗効果センサ作動領域の両端部に、電気的かつ磁気的に連続性を有する永久磁石バイアス下地膜,永久磁石バイアス膜および電極膜からなる積層膜を配設した永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドであって、下地Cr薄膜7a〜7cと、永久磁石バイアス薄膜8a〜8cに10〜12原子百分率以下のCrを含有しかつ12〜15原子百分率以下のPtを含有するCoCrPt合金膜と、電極膜9a〜9cにMo組成が10〜40原子百分率以下であるTaMo合金膜とを用い、各膜中のAr含有量を3原子百分率以下に抑える。これにより、所望の永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドを得る。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも軟磁性薄膜、非磁性スペーサ薄膜および磁気抵抗効果薄膜からなる磁気抵抗効果センサ作動領域の両端部に、電気的かつ磁気的に連続性を有する永久磁石バイアス下地膜,永久磁石バイアス膜および電極膜からなる積層膜を配設した構造をもつ永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記永久磁石バイアス下地膜が、クロム膜であることを特徴とする永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。
引用特許：
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