特許
J-GLOBAL ID：200903047023381054
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-357078
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175265
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 大型化を招来するようなヒートシンクを設けることなく放熱性が高い半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 金属ベース14と、該金属ベース14の一方の面に形成された封止部34内に樹脂封止された半導体チップ22と、該半導体チップ22と電気的に接続されたインナーリード部24、および前記封止部34から導出したアウターリード部26から成る複数のリード18とを具備し、該複数のリード18は、フィルム状に形成されると共に、絶縁層16aを介して前記金属ベース14の一方の面に積層、固定されている。
請求項（抜粋）：
金属ベースと、該金属ベースの一方の面に形成された封止部内に樹脂封止された半導体チップと、該半導体チップと電気的に接続されたインナーリード部、および前記封止部から導出されたアウターリード部から成る複数のリードとを具備し、該複数のリードは、フィルム状に形成されると共に、絶縁層を介して前記金属ベースの一方の面に積層、固定されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301
, H01L 23/28
