特許

J-GLOBAL ID：200903047028253925

磁性多層膜およびその製造方法ならびに磁気抵抗効果素子

発明者： 荒木 悟 ,  宮内 大助
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-227347
公開番号（公開出願番号）：特開平8-069917
出願日： 1994年08月29日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 磁性層の積層数が少なく、しかも、大きなMR(磁気抵抗)変化率を示し、零磁場近傍でMR変化率が直線的な立ち上がり特性を示し、磁場感度が高く、零磁場近傍での高周波磁場印加時のMR変化率曲線の傾きが大きく、耐熱温度の高い磁性多層膜を提供する。この磁性多層膜を用いることにより、高性能なMR素子を提供する。【構成】 第1の磁性層と、この第1の磁性層よりも保磁力が大きい第2の磁性層とが、非磁性金属層を介して交互に積層されており、第1の磁性層の層数をN1 、第2の磁性層の層数をN2 としたとき、2≦N1 ≦4、N2 =N1 -1であり、第1の磁性層の厚さをt1 、第2の磁性層の厚さをt2 、非磁性金属層の厚さをt3 としたとき、10A ≦t1 ≦80A 、20A ≦t2 ≦90A 、20A ≦t3 ≦90A である磁性多層膜をMR素子の感磁部に用いる。

請求項（抜粋）：

第1の磁性層と、この第1の磁性層よりも保磁力が大きい第2の磁性層とが、非磁性金属層を介して交互に積層されており、第1の磁性層の層数をN1 、第2の磁性層の層数をN2 としたとき、2≦N1 ≦4、N2 =N1 -1であり、第1の磁性層の厚さをt1 、第2の磁性層の厚さをt2 、非磁性金属層の厚さをt3 としたとき、10A ≦t1 ≦80A 、20A ≦t2 ≦90A 、20A ≦t3 ≦90Aである磁性多層膜。

IPC (5件)：

H01F 10/16 ,  C23C 14/14 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08