特許

J-GLOBAL ID：200903047029076008

半導体受光装置

発明者： 臼井 章二 ,  松井 亜也子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212405
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055622
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 半導体受光装置に関し、半導体製造技術とよく整合し、高集積度が可能な波長選択性を有する半導体受光装置を提供することを目的とする。【構成】 光源よりの入射光を受けて該入射光の一部を電気信号に変換し、該入射光の残りを透過させる第1の光電変換素子部と、第1の光電変換素子部を透過した入射光の内、特定の波長域の光を透過する開口部を有する導電性材料で形成された波長選択部と、開口部を透過した光を受けて電気信号に変換する第2の光電変換素子部とを含んで構成される。

請求項（抜粋）：

光源よりの入射光を受けて該入射光の一部を電気信号に変換し、該入射光の残りを透過させる第1の光電変換素子部(1)と、前記第1の光電変換素子部(1)を透過した入射光の内、特定の波長域の光を透過する開口部(3)を有する導電性材料で形成された波長選択部(2)と、前記開口部(3)を透過した光を受けて電気信号に変換する第2の光電変換素子部(4)とを有する半導体受光装置。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  G01J 1/02 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 31/10 D ,  H01L 27/14 D