半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-064168
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260979
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】金属酸化膜形成後のアニール時にSi基板との間に形成されるSi酸化膜の成長を抑制する半導体装置及びこの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、シリコン基板と、このシリコン基板上に形成された金属酸化膜からなるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備し、前記ゲート絶縁膜とSi基板間に形成された界面膜が、前記ゲート絶縁膜の中央部よりも端部において薄くなっていることを特徴とする半導体装置を提供する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、このシリコン基板上に形成された金属酸化膜からなるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを具備し、前記ゲート絶縁膜とSi基板間に形成された界面膜が、前記ゲート絶縁膜の中央部よりも端部において薄くなっていることを特徴とする半導体装置。

Fターム (10件)：

5F040DA05 , 5F040DA06 , 5F040DA10 , 5F040DC01 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F040ED09 , 5F040EK05 , 5F040FC00 , 5F040FC10

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭58-192377
特開平3-074878
特開平2-273934

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審査官引用 (8件)

特開平2-224273
特開平2-224273
特開平2-273934

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