特許
J-GLOBAL ID:200903047036701724
プラズマ処理方法及び装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-060607
公開番号(公開出願番号):特開2001-250811
出願日: 2000年03月06日
公開日(公表日): 2001年09月14日
要約:
【要約】【課題】 処理毎に膜厚やエッチングレートにばらつきが生じないプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 高周波電源15から電極5に高周波電力を印加してプラズマ放電を発生させ、チャンバー1内に配置された被処理物9をプラズマ処理する。インピーダンス整合器3と電極5との間で高周波電力の電流I及び電圧Vを検出する。電流I及び電圧Vに基づいて電極5に印加される高周波電力Wの時間積算値IWを計算する。高周波電力の時間積算値IWが第1の所定値IW1に達すると、高周波電源15から電極5への高周波電力の印加を停止する。
請求項(抜粋):
高周波電源から電極に高周波電力を印加してプラズマ放電を発生させ、チャンバー内に配置された被処理物をプラズマ処理すると共に、上記高周波電源と上記電極の間に介設されたインピーダンス整合器により、電極側のインピーダンスを高周波電源側のインピーダンスに整合させるプラズマ処理方法において、上記インピーダンス整合器と上記電極との間で、上記電極に印加される高周波電力の電流及び電圧を検出し、検出された電流及び電圧に基づいて電極に印加される高周波電力の時間積算値を計算し、該高周波電力の時間積算値が第1の所定値に達すると、上記高周波電源から電極への高周波電力の印加を停止するプラズマ処理方法。
IPC (9件):
H01L 21/3065
, B01J 19/08
, C23C 14/34
, C23C 14/40
, C23C 16/505
, C23C 16/52
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H05H 1/46
FI (9件):
B01J 19/08 H
, C23C 14/34 S
, C23C 14/40
, C23C 16/505
, C23C 16/52
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H05H 1/46 M
, H01L 21/302 C
Fターム (47件):
4G075AA24
, 4G075AA30
, 4G075AA62
, 4G075AA65
, 4G075BC02
, 4G075BC04
, 4G075BC06
, 4G075BD14
, 4G075CA47
, 4G075EB42
, 4K029CA05
, 4K029DC35
, 4K029DC39
, 4K029EA01
, 4K029EA06
, 4K029EA09
, 4K030FA01
, 4K030FA03
, 4K030FA04
, 4K030JA01
, 4K030JA16
, 4K030KA30
, 4K030KA39
, 4K030KA41
, 4K057DA11
, 4K057DA16
, 4K057DD01
, 4K057DM04
, 4K057DM16
, 4K057DM33
, 4K057DN01
, 5F004AA01
, 5F004BA04
, 5F004BA13
, 5F004BA20
, 5F004BB13
, 5F004CA03
, 5F004CB05
, 5F045AA08
, 5F045AA19
, 5F045BB03
, 5F045BB20
, 5F045DP04
, 5F045EH11
, 5F045EH12
, 5F045EH19
, 5F045GB04
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