特許
J-GLOBAL ID：200903047041818222
磁性薄膜及び該磁性薄膜の製造法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-074415
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332421
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、微細加工技術を用いて微小ドットの強磁性膜を形成することによって中心部に垂直磁化成分を有する磁性薄膜を提供するものである。【解決手段】 基体と該基体上に形成された平均径が0.1〜10μm、厚みが0.005〜10μm、平均径に対する厚みの比が2以下である微小ドットの強磁性膜であって、該強磁性膜は、中心部に当該磁性薄膜に対して上向き又は下向き方向の垂直磁化成分を有している磁性薄膜である。また、前記磁性薄膜は、基体上にレジスト膜を形成した後、該レジスト膜の一部を溶解・除去し、次いで、レジスト膜上及びレジスト膜を除去した基体上のそれぞれに強磁性膜を形成した後、レジスト膜及び該レジスト膜上に形成されている磁性層のみを除去して基体上に形成されている強磁性膜を残すことにより、基体上に微小ドットの強磁性膜を形成するすることによって製造する。
請求項（抜粋）：
基体と該基体上に形成された平均径が0.1〜10μm、厚みが0.005〜10μm、平均径に対する厚みの比が2以下である微小ドットの強磁性膜であって、該強磁性膜は、中心部に当該磁性薄膜に対して上向き又は下向き方向の垂直磁化成分を有していることを特徴とする磁性薄膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5E049AC08
, 5E049BA08
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049EB05
