特許
J-GLOBAL ID：200903047042345441
超電導素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-042617
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243233
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 酸化物超電導ジョセフソン接合を用いた集積回路を作製するために、1つのジョセフソン接合を共有し、かつインダクタンスの小さい超電導配線ループを実現する。また、ジョセフソン接合の接合特性とその均質性を高める。【解決手段】 基板11上にREBa2 Cu3 O7-δ(RE:Prを除く希土類元素、δ: 0〜 0.5)で実質的に表される酸化物超電導体からなる下部超電導電極層12、酸化物層間絶縁層13を積層する。この積層膜を選択的にエッチングして、側面15bが基板面に対して所定の角度をなし、底面15aが少なくとも下部超電導電極層14の表面に達する凹部15を形成し、この凹部15内にバリア層16および上部超電導電極層17を積層してジョセフソン接合を作製する。バリア層にはRE′Ba2 Cu3 Ox (RE′は酸化物超電導体電極の希土類元素REよりイオン半径の小さい希土類元素、x: 6〜 8)組成を有し、かつ単純ペロブスカイト構造類似の立方晶構造を有する酸化物を用いることができる。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に直接もしくは酸化物薄膜を介して形成され、REBa2 Cu3 O7-δ(ただし、REはPrを除く希土類元素から選ばれる少なくとも 1種の元素を、δは 0〜 0.5の数を示す)で実質的に表される組成を有する酸化物超電導体からなる下部超電導電極層と、前記下部超電導電極層上に形成された層間絶縁層と、前記下部超電導電極層と層間絶縁層との積層膜に設けられ、かつ側面が前記基板面に対して所定の傾斜角をなすと共に、底面が前記基板表面もしくは前記酸化物薄膜表面に達する凹部と、前記凹部の側面および底面を覆うように形成されたバリア層と、前記バリア層上に設けられ、REBa2 Cu3 O7-δで実質的に表される組成を有する酸化物超電導体からなる上部超電導電極層とを具備することを特徴とする超電導素子。
IPC (2件)：
H01L 39/22 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
H01L 39/22 ZAA A
, H01L 39/24 ZAA J
