特許

J-GLOBAL ID：200903047048099019

透明導電膜の形成方法

発明者： 福吉 健蔵 ,  木村 幸弘
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
代理人 (1件)： 上田 章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-194691
公開番号（公開出願番号）：特開平8-043841
出願日： 1994年07月27日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 液晶表示装置用電極板等の製造の際に利用される薄膜でしかも高い導電性を有する透明導電膜の形成方法を提供すること。【構成】 ガラス基板11上に、このガラス基板を加熱することなく酸化インジウムを主成分とし10重量%の酸化錫が添加されたドーパント高濃度薄膜12a'並びに12c'と酸化インジウムを主成分とし0.3 重量%の酸化錫が添加されたドーパント低濃度薄膜12b'とを互いに隣接してスパッタ法にて成膜し、これ等薄膜を加熱アニーリング処理してキャリア移動度の高いキャリアキャリア高移動度薄膜12b とキャリア濃度の高いキャリア高濃度薄膜12a,12c とで構成された透明導電膜12を形成した。そして、この透明導電膜12においては上記3層膜が相互に作用し合うため全体としてその比抵抗及び面積抵抗を減少させることが可能になり、この結果、薄膜にも拘らず高い導電性が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上に透明導電膜を形成する方法において、150°C以下の温度に保持された基板上にドーパント濃度の低い金属化合物薄膜とドーパント濃度の高い金属化合物薄膜を互いに隣接して二層若しくは三層以上の多層に成膜し、かつ、これ等金属化合物薄膜を加熱アニーリングしてキャリア移動度の高いキャリア高移動度薄膜とキャリア濃度の高いキャリア高濃度薄膜の二層膜若しくは多層膜で構成された透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の形成方法。

IPC (6件)：

G02F 1/1343 ,  C01G 19/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/58 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/28