特許

J-GLOBAL ID：200903047055582566

ダイヤモンド上シリコンの回路構造物及びその製造方法

発明者： シュランツ, グレゴリー, エー. ,  ゴール, スティーブン, ジェイ.
出願人/特許権者： ハリス・コーポレーション
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-515102
公開番号（公開出願番号）：特表平8-505009
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1996年05月28日
要約：

【要約】高熱伝導率の熱逸散路をもった誘電物に分離されたアイランドを含む集積回路構造物。半導体構造物は、多結晶材料の第1の層と、該第1の層の上に形成された多結晶ダイヤモンドから成る層から成る。該ダイヤモンド含有層の上に、多結晶シリコン層が形成され、該多結晶シリコン層の上に単結晶材料層が形成される。

請求項（抜粋）：

基板材料の第1の層を提供する工程; 該基板材料の第1の表面の上に多結晶ダイヤモンド層を形成する工程; 該多結晶ダイヤモンド層の上に多結晶シリコン薄層を形成する工程;および 該多結晶シリコン層の上に単結晶半導体材料層を形成する工程から成ることを特徴とする、電気的に分離した領域に複数のトランジスタを形成した集積回路構造物の製造法。

IPC (6件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/082 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 29/72 ,  H01L 27/08 101 L