特許

J-GLOBAL ID：200903047056516672

薄膜コンデンサ

発明者： 中根 ▲たかし▼ ,  柳下 宏 ,  野副 尚一 ,  鈴木 三紀男 ,  篠田 芳郎 ,  宮外 雅秀
出願人/特許権者： 工業技術院化学技術研究所長 ,  ルビコン電子株式会社
代理人 (1件)： 伊藤 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-133662
公開番号（公開出願番号）：特開平6-036966
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 蒸着重合法によって誘電体として形成される高分子膜の特性から決定される電気的特性をさらに向上させることができる薄膜コンデンサを提供する。【構成】 薄膜コンデンサは、膜状の内部電極3a,3b,3cと膜状の誘電体4a,4bとの積層構造5が形成されている基板2を備える。誘電体4a,4bは、N-メチルアクリジニウム-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン錯体(以下、「TCNQ錯体」という。)を含むフロロアルキル化芳香族ポリイミドの高分子膜からなる。TCNQ錯体を含むフロロアルキル化芳香族ポリイミドの高分子膜は、2,2-ビス(4-アミノフェニル)ヘキサフロロプロパンおよびピロメリット酸二無水物の各モノマーとTCNQ錯体の結晶とを蒸発源材として用いる蒸着重合法によって形成されている。

請求項（抜粋）：

膜状の誘電体と膜状の内部電極とが交互に積層されている薄膜コンデンサであって、前記誘電体が、少なくともいずれか一方が弗化またはフルオロアルキル化されかつベンゼン環を骨格とする2種のモノマーおよび前記誘電体の特性を変化させる因子である少なくとも1つ以上の副物質を蒸発源材とする蒸着重合によって形成されている高分子膜からなることを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (6件)：

H01G 4/06 102 ,  H01B 3/30 ,  H01G 4/30 301 ,  C08G 18/32 NDT ,  C08G 69/42 NSN ,  C08G 73/10 NTF