特許
J-GLOBAL ID：200903047056671511
半導体ウエハの研磨制御装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-101325
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307318
出願日： 1994年05月16日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウエハを高平坦度加工できるようにする。【構成】 研磨装置30がシリコンウエハを研磨している場合には、冷却水温制御装置35を介して25°C程度の温度の冷却水を前記研磨装置30の冷却機構に供給する一方、研磨していない場合には、20°C程度の冷却水を前記冷却機構に供給する。
請求項（抜粋）：
被研磨材を保持するブロックと、当該ブロックの前記被研磨材を保持した側に配置される定盤と、前記ブロックを前記定盤に対して加圧する加圧機構と、前記ブロックと前記定盤とを相対的に摺動させる摺動駆動機構と、前記定盤を冷却する冷却機構とを備えた研磨装置に使用される半導体ウエハの研磨制御装置であって、当該研磨装置の動作を総括的に制御する研磨装置制御手段と、当該研磨制御装置が前記被研磨材を研磨させる制御を行っている場合と当該制御を行っていない場合とで、異なる温度の冷却水を前記冷却機構に供給する冷却水供給手段とを有することを特徴とする半導体ウエハの研磨制御装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 37/04
