特許

J-GLOBAL ID：200903047056969901

不揮発性半導体メモリ

発明者： 松澤 一也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-309745
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118183
出願日： 2000年10月10日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】 浮遊ゲートへの書き込み効率を高めることが、且つ短チャネル効果耐性の向上をはかる。【解決手段】 半導体基板101の表面領域に制御ゲート114と浮遊ゲート110を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成してなる不揮発性半導体メモリにおいて、トランジスタのソース領域にCoSi2 からなるソースシリサイド105を形成し、ドレイン領域にCoSi2 からなるドレインシリサイド106を形成することにより、ソース・ドレイン領域にショットキー接合を形成し、浮遊ゲート110を基板の表面方向に対してショットキー接合と一部重なるようにチャネル領域に埋め込んで形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面領域に制御ゲートと浮遊ゲートを有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成してなる不揮発性半導体メモリであって、前記トランジスタのソース領域とドレイン領域の少なくとも一方にショットキー接合が形成され、前記浮遊ゲートは前記基板の表面方向に対して前記ショットキー接合と一部重なるように、前記トランジスタのチャネル領域に埋め込んで形成されていることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 617 J

Fターム (41件)：

5F001AA31 ,  5F001AB08 ,  5F001AC01 ,  5F001AD13 ,  5F001AD15 ,  5F001AD70 ,  5F001AE02 ,  5F001AF10 ,  5F083EP13 ,  5F083EP23 ,  5F083EP62 ,  5F083EP67 ,  5F083ER03 ,  5F083ER06 ,  5F083GA01 ,  5F083HA02 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F101BA13 ,  5F101BB05 ,  5F101BC01 ,  5F101BD03 ,  5F101BD05 ,  5F101BD30 ,  5F101BE05 ,  5F101BF10 ,  5F110BB08 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE27 ,  5F110EE32 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40