特許

J-GLOBAL ID：200903047060629074

パターニング方法

発明者： 豊田 治 ,  別井 圭一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 福島 康文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253956
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094765
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】【目的】例えば微小電界放出陰極の絶縁膜を成膜する場合のように、マスクを用いてパターニングする方法に関し、マスクを用いてパターニングする際に、マスクの外周部の下に傾斜が生じるのを抑制し、垂直に近いパターン輪郭を形成可能とすることを目的とする。【構成】マスクmの上から成膜物質を被着させ、マスクm以外の領域に成膜を行なうことでパターン形成する際に、マスクmに向けてイオンビームIBを照射し、マスクm上に堆積する被着物質をイオンミリングして除去しながら成膜を行なう。

請求項（抜粋）：

マスク(m) の上から成膜物質を被着させ、マスク(m) 以外の領域に成膜を行なうことでパターン形成する際に、マスク(m) に向けてイオンビーム(IB)を照射し、マスク(m) 上に堆積する被着物質をイオンミリングして除去しながら成膜を行なうことを特徴とするパターニング方法。

IPC (2件)：

H01J 9/02 ,  H01L 21/302