特許

J-GLOBAL ID：200903047061246543

触媒CVD法によるシリコン薄膜の生成方法および薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ

発明者： 松村 英樹 ,  三村 広二
出願人/特許権者： 新技術事業団
代理人 (1件)： 長谷川 文廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055763
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250438
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 触媒CVD法によるシリコン薄膜の生成方法およびシリコン薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタに関し,低温で生成で0.1μm以下の薄い膜厚の高移動度の多結晶性のシリコン薄膜を低温形成することを目的とする。【構成】 原料ガスはシリコン(Si)化合物のガスと他の物質の混合ガスであり,触媒は供給される電力により加熱されるものであり,シリコン薄膜を生成する反応室の圧力を低圧とする圧力条件,および原料ガスにおける他の物質のガスのシリコン化合物のガスに対する割合を大きくする原料ガスの混合比の条件,および該触媒に供給する電力を触媒体温度がシリコン溶融温度以上に高いものとする触媒に対する供給電力の条件を,堆積種により生成されるシリコン薄膜が多結晶性の薄膜となる程度のものとし,低温度の基板にシリコン薄膜を生成する構成を持つ。

請求項（抜粋）：

触媒体に原料ガスを吹きつけ,触媒体と原料ガスとの接触反応により原料ガスの一部もしくは全部を分解し,分解されて生成した堆積種を基板に堆積して薄膜を生成する触媒CVD法により多結晶性のシリコン薄膜を生成する方法において,原料ガスはシリコン(Si)化合物のガスと他の物質の混合ガスであり,触媒は供給される電力により加熱されるものであり,シリコン薄膜を生成する反応室の圧力を低圧とする圧力条件,および原料ガスにおける他の物質のガスのシリコン化合物のガスに対する割合を大きくする原料ガスの混合比の条件,および該触媒に供給する電力を触媒体温度がシリコン溶融温度以上に高いものとする触媒に対する供給電力の条件を,堆積種により生成されるシリコン薄膜が多結晶性の薄膜となる程度のものとし,低温度の基板にシリコン薄膜を生成することを特徴とする触媒CVD法によりシリコン薄膜の生成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/10 ,  C30B 25/14 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 A ,  C30B 25/10 ,  C30B 25/14 ,  H01L 29/78 311 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-040314
  
• 特開昭60-178621
  
• 特開昭63-040314
  
• 特開昭60-178621