特許

J-GLOBAL ID：200903047065602336

高誘電率誘電体薄膜の製造方法

発明者： 大谷 成元
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-287767
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140385
出願日： 1992年10月26日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 SrTiO3 系高誘電率誘電体薄膜の製造方法に関し、高い誘電率を有するSrTiO3 系誘電体薄膜の新規な製造方法を提供することを目的とする。【構成】 下地上に400°Cより低い温度で非晶質状SrTiO3 系薄膜を堆積する工程と、該非晶質状SrTiO3 系薄膜をレーザアニールまたはラピッドサーマルアニール処理して結晶化させ、SrTiO3 系薄膜を得る工程とを含む。

請求項（抜粋）：

下地(1)上に400°Cより低い温度で非晶質状SrTiO3 系薄膜(2)を堆積する工程と、該非晶質状SrTiO3 系薄膜(2)をレーザアニールまたはラピッドサーマルアニール処理して結晶化させ、SrTiO3 系薄膜(2a)を得る工程とを含む高誘電率誘電体薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/314 ,  C01F 11/02 ,  C01G 23/00 ,  C01G 23/04 ,  H01G 4/10 ,  H01L 27/04