半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090117
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289696
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の素子集積度を向上させる。【解決手段】 SRAM部においては、その全領域において半導体基板1Sの深い位置に不純物濃度が相対的に高くなるような分布を持つp型高濃度ウエルBPMおよびn型高濃度ウエルBNMを形成し、論理回路部においては、nMISQnlおよびpMISQplの活性領域Lを除く領域に、半導体基板1Sの深い位置に不純物濃度が相対的に高くなるような分布を持つp型高濃度ウエルBPLおよびn型高濃度ウエルBNLを形成する。

請求項（抜粋）：

以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法;(a)半導体基板に分離部を形成する工程、(b)前記半導体基板において、第1領域には、その全領域において、前記第1領域に形成される電界効果トランジスタのチャネル導電型とは逆導電型の領域であって、前記半導体基板の深い位置に不純物濃度が相対的に高くなるような分布を持つ半導体領域を形成する工程、(c)前記半導体基板において、前記第1領域とは異なる第2領域には、電界効果トランジスタの活性領域を除く領域に、前記第2領域に形成される電界効果トランジスタのチャネル導電型とは逆導電型の領域であって、前記半導体基板の深い位置に不純物濃度が相対的に高くなるような分布を持つ半導体領域を形成する工程。

IPC (10件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/8244 , H01L 27/11 , H01L 27/10 481 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 27/10 481 , H01L 27/08 102 A , H01L 27/04 A , H01L 27/08 321 B , H01L 27/10 381 , H01L 29/78 301 R

Fターム (84件)：

5F038AV06 , 5F038BH19 , 5F038DF05 , 5F038DF11 , 5F038EZ06 , 5F038EZ13 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20 , 5F048AA01 , 5F048AA04 , 5F048AA06 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BE01 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BE06 , 5F048BE07 , 5F048BF16 , 5F048BG14 , 5F048BH07 , 5F083BS27 , 5F083GA09 , 5F083GA28 , 5F083HA02 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR36 , 5F083PR40 , 5F083PR44 , 5F083PR46 , 5F083ZA01 , 5F083ZA03 , 5F140AA01 , 5F140AA09 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC32 , 5F140AC33 , 5F140BA01 , 5F140BD09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF25 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BH14 , 5F140BH49 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ14 , 5F140BJ17 , 5F140BK26 , 5F140CA03 , 5F140CB01 , 5F140CB03 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC12 , 5F140CD02 , 5F140CE07

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