ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-174549
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045902
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】多結晶シリコン層等のSi系材料層を、被エッチング基板上の位置によらず、断面のテーパー形状が一定となるドライエッチング方法を提供する。【構成】 F系ガス以外のハロゲン系ガスとO2 ガスの混合ガスをエッチングガスに用いるとともに、基板ステージ上面から被エッチング基板下面に供給する基板冷却用の熱伝導ガスとして、希ガスにO2 またはN2 を添加したガスを用いる。【効果】被エッチング基板の中央部近傍の多結晶シリコンパターン3aの側壁保護膜5aの堆積量と、周辺部のパターン3bの側壁保護膜5bの堆積量がほぼ同じとなるので、テーパー角度αおよびβも同一となる。

請求項（抜粋）：

冷却された基板ステージ上面から被エッチング基板下面に向けて熱伝導ガスを流出することにより、前記被エッチング基板の温度を制御するとともに、F系以外のハロゲン系ガスとO系ガスを含む混合ガスによりSi系材料層をパターニングするドライエッチング方法であって、該熱伝導ガスは、希ガスとO系ガスを含むことを特徴とするドライエッチング方法。

FI (2件)：

H01L 21/302 F , H01L 21/302 J

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