特許
J-GLOBAL ID：200903047086210314
角形薄膜チップ抵抗器の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-007408
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203713
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 一般に電子回路に用いられる角形チップ抵抗器を高信頼性を付加し安価に提供することを目的とする。【構成】 方形の96%アルミナ基板1の主面上に一対の薄膜上面電極層2を形成し、この一対の薄膜上面電極層2それぞれに一部が重なるように前記薄膜上面電極層間に薄膜抵抗体層4を形成し、この薄膜抵抗体層4を完全に覆うように樹脂保護膜層5を形成し、一対の薄膜上面電極層2上の薄膜抵抗体層4を覆いかつ前記樹脂保護膜層5の両端の一部に重なるように導体樹脂上面電極層6を形成し、アルミナ基板1の裏面上に、樹脂保護膜層5を形成した後、一対の導体樹脂裏面電極層3を形成し、前記導体樹脂上面電極層6および導体樹脂裏面電極層3それぞれに重なるように96%アルミナ基板1の両端部にそれぞれ一対の薄膜端面電極層7を形成し、露出した電極部に電極めっき層8を形成する。
請求項（抜粋）：
方形の絶縁基板の主面上に一対の薄膜上面電極層を形成する工程と、前記一対の薄膜上面電極層それぞれに重なり、かつ前記絶縁基板の主面上の前記薄膜上面電極層間に薄膜抵抗体層を形成する工程と、前記薄膜抵抗体層を完全に覆う樹脂保護膜層を形成する工程と、前記一対の薄膜上面電極層を覆いかつ前記樹脂保護膜層の両端の一部に重なる一対の導体樹脂上面電極層を形成する工程と、絶縁基板の裏面上に一対の導体樹脂裏面電極層を形成する工程と、前記絶縁基板の両端部に前記導体樹脂上面電極層および前記導体樹脂裏面電極層と接続するように一対の薄膜端面電極層を形成する工程と、露出した前記導体樹脂上面電極層および前記導体樹脂裏面電極層および前記薄膜端面電極層を覆うように電極めっき層を形成する工程とを備え、前記導体樹脂裏面電極層は、前記薄膜抵抗体層を形成した後に形成することを特徴とする角形薄膜チップ抵抗器の製造方法。
IPC (4件)：
H01C 17/12
, H01C 7/00
, H01C 17/06
, H01C 17/242
H01C 17/12
, H01C 17/24 L
