半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000067
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206297
出願日： 1992年01月06日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】アルミニウム膜/多結晶シリコン膜により形成した配線のコンタクト不良を低減させる。【構成】コンタクト孔3を含む表面に圧力0.5〜1.0Torrの減圧CVD法によりグレイン・サイズの小さい多結晶シリコン膜4を形成し、その上にアルミニウム膜5を堆積してパターニングし、水素アロイによりアルミニウム膜5中に多結晶シリコン膜を溶け込ませることにより、コンタクト孔のシリコンノジュールの発生を抑えコンタクト抵抗の増大を防ぐ。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた層間絶縁膜を選択的に開孔してコンタクト孔を形成する工程と、前記コンタクト孔を含む表面に圧力0.5〜1.0Torrの減圧気相成長法により多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜の上にアルミニウム膜を堆積する工程と、前記アルミニウム膜及び多結晶シリコン膜を選択的に順次エッチングした後水素アロイにより合金化して配線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/90 , H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭49-098578
特開昭53-108278
特開昭60-046024

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